IRF540N – Transistor MOSFET Canal N (100V 33A 40mΩ)
R$6,90
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
Especificações:
– Código: IRF540N (Datasheet)
– Encapsulamento: TO-220AB
– Montagem: PTH (Pin Through Hole)
– Tensão máxima de dreno (VDS): 100 Vdc
– Corrente de dreno contínuo (ID): 33 A (TC = 25 °C)
– Tensão máxima de gate (VGS): ± 20 Vdc
– Resistência de dreno (RDS): 40 mΩ (VGS = 10 Vdc)
– Dissipação de potência (PD): 120 W (TC = 25 °C)
– Temperatura de operação: -55 à 175 °C
– Fabricante: Variável de acordo com o estoque
