IRF640N – Transistor MOSFET Canal N (200V 18A 150mΩ)
R$7,30
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
Especificações:
– Código: IRF640N (Datasheet)
– Encapsulamento: TO-220AB
– Montagem: PTH (Pin Through Hole)
– Tensão máxima de dreno (VDS): 200 V
– Corrente de dreno contínuo (ID): 18 A (TC = 25°C)
– Tensão máxima de gate (VGS): ± 20 V
– Resistência de dreno (RDS): 150 mΩ (VGS = 10V)
– Dissipação de potência (PD): 150 W (TC = 25°C)
– Temperatura de operação: -55 à 150 °C
– Fabricante: Variável de acordo com o estoque
